EM01-RD 多入射角激光橢偏儀
產(chǎn)品摘要
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特別聲明:
EM01-RD多入射角激光橢偏儀(研發(fā))已升至EMPro31 型多入射角激光橢偏儀,主要升內(nèi)容包括:
單次測量速度提高3倍;
新的儀器外形;
整體穩(wěn)定性增強(qiáng).
納米薄膜高端研發(fā)領(lǐng)域的多入射角激光橢偏儀,用于納米薄膜的厚度、折射率n、消光系數(shù)k等參數(shù)的測量。適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數(shù)測量、快速變化的納米薄膜實(shí)時(shí)測量等不同的應(yīng)用場合。采用量拓科技多項(xiàng)技術(shù),儀器操作具有個(gè)性化定制功能,方便使用。
特點(diǎn):
高精度、高穩(wěn)定性
一體化集成設(shè)計(jì)
快速、高精度樣品方位對準(zhǔn)
多入射角度測量
快速反應(yīng)過程的實(shí)時(shí)測量
操作簡單
豐富的材料庫及物理模型
強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理
應(yīng)用領(lǐng)域:
可對納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測量,尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)
可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)膜系,以及塊狀材料(基底)。
應(yīng)用領(lǐng)域涉及納米薄膜的幾乎領(lǐng)域,如微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、聚合物及金屬表面處理等。
性能保證:
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
.高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直望遠(yuǎn)系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準(zhǔn)
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對準(zhǔn),結(jié)合采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
軟件方便納米薄膜樣品的測試和建模。
技術(shù)指標(biāo):
激光波長 |
632.8nm (He-Ne laser) |
膜厚測量重復(fù)性 |
0.01nm (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
折射率精度 |
1x10-4(對于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
光學(xué)結(jié)構(gòu) |
PSCA |
激光光束直徑 |
<1mm |
入射角度 |
40°-90°可選,步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 |
三維平移調(diào)節(jié) 二維俯仰調(diào)節(jié) 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對準(zhǔn) |
樣品臺尺寸 |
Φ170mm |
單次測量時(shí)間 |
0.2s |
推薦測量范圍 |
0-6000nm |
大外形尺寸(長x寬x高) |
887 x 332 x 552mm (入射角為70º時(shí)) |
儀器重量(凈重) |
25Kg |
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
總機(jī):01062923831
座機(jī):01062923831
業(yè)務(wù):13520693027
業(yè)務(wù):13520693672
業(yè)務(wù):15890190919